Cap de duș cu carbură de siliciu

VeTek Semiconductor este un producător și furnizor de top de produse pentru cap de duș cu carbură de siliciu în China. Capul de duș SiC are o toleranță excelentă la temperatură ridicată, stabilitate chimică, conductivitate termică și performanță bună de distribuție a gazului, ceea ce poate realiza o distribuție uniformă a gazului și poate îmbunătăți calitatea filmului. Prin urmare, este de obicei utilizat în procese la temperaturi înalte, cum ar fi depunerea chimică în vapori (CVD) sau procesele de depunere fizică în vapori (PVD). Bine ați venit consultația dvs. ulterioară.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Capul de duș VeTek Semiconductor din carbură de siliciu este fabricat în principal din SiC. În procesarea semiconductoarelor, funcția principală a capului de duș cu carbură de siliciu este de a distribui uniform gazul de reacție pentru a asigura formarea unui film uniform în timpuldepunere chimică de vapori (CVD)saudepunere fizică de vapori (PVD)proceselor. Datorită proprietăților excelente ale SiC, cum ar fi conductivitatea termică ridicată și stabilitatea chimică, capul de duș SiC poate funcționa eficient la temperaturi ridicate, reducând neuniformitatea fluxului de gaz în timpulprocesul de depunere, și astfel îmbunătățiți calitatea stratului de film.

Capul de duș cu carbură de siliciu poate distribui uniform gazul de reacție prin mai multe duze cu aceeași deschidere, poate asigura un flux uniform de gaz, poate evita concentrațiile locale prea mari sau prea scăzute și, astfel, îmbunătățește calitatea filmului. Combinat cu rezistența excelentă la temperaturi ridicate și stabilitatea chimică aCVD SiC, nu sunt eliberate particule sau contaminanți în timpulprocesul de depunere a filmului, care este esențial pentru menținerea purității depunerii filmului.

În plus, un alt avantaj major al capului de duș CVD SiC este rezistența la deformare termică. Această caracteristică asigură că componenta poate menține stabilitatea structurală fizică chiar și în medii cu temperatură ridicată tipice proceselor de depunere chimică în vapori (CVD) sau depuneri fizice de vapori (PVD). Stabilitatea minimizează riscul de nealiniere sau defecțiune mecanică, îmbunătățind astfel fiabilitatea și durata de viață a întregului dispozitiv.

Ca principal producător și furnizor de cap de duș din carbură de siliciu din China. Cel mai mare avantaj al capului de duș VeTek Semiconductor CVD cu carbură de siliciu este capacitatea de a oferi produse și servicii tehnice personalizate. Avantajul nostru personalizat de servicii poate satisface diferitele cerințe ale diferiților clienți pentru finisarea suprafeței. În special, susține personalizarea rafinată a tehnologiilor mature de procesare și curățare în timpul procesului de fabricație.

În plus, peretele interior al porilor capului de duș VeTek Semiconductor din carbură de siliciu este tratat cu atenție pentru a se asigura că nu există un strat de deteriorare reziduală, îmbunătățind performanța generală în condiții extreme. În plus, capul nostru de duș CVD SiC este capabil să atingă o deschidere minimă de 0,2 mm, obținând astfel o precizie excelentă de livrare a gazului și menținând un flux optim de gaz și efectele de depunere a peliculei subțiri în timpul producției de semiconductori.

DATE SEM ALECVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE：

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Proprietățile fizice de bază ale CVD Acoperire SiC：

Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC
Proprietate	Valoare tipică
Structura de cristal	FCC policristalină în fază β, orientată în principal (111).
Densitate	3,21 g/cm³
Duritate	Duritate 2500 Vickers (încărcare 500g)
Dimensiunea boabelor	2~10μm
Puritatea chimică	99,99995%
Capacitatea termică	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura de sublimare	2700℃
Rezistența la încovoiere	415 MPa RT în 4 puncte
Modulul Young	430 Gpa 4 pt îndoire, 1300 ℃
Conductivitate termică	300W·m^-1·K^-1
Expansiune termică (CTE)	4,5×10^-6K^-1