Procesul de depunere chimică în vapori Inel de margine solid SiC

Procesul de depunere chimică în vapori Inel de margine solid SiC

Procesul de depunere chimică în vapori VeTek Semiconductor Solid SiC Edge Ring este o soluție de ultimă oră concepută special pentru procesele de gravare uscată, oferind performanțe și fiabilitate superioare. Ne-ar dori să vă oferim inel de margine solid SiC proces de depunere în vapori chimici de înaltă calitate.

Aplicație:

Procesul de depunere chimică prin vapori Inelul de margine solid SiC este utilizat în aplicații de gravare uscată pentru a îmbunătăți controlul procesului și pentru a optimiza rezultatele de gravare. Joacă un rol crucial în direcționarea și limitarea energiei plasmei în timpul procesului de gravare, asigurând îndepărtarea precisă și uniformă a materialului. Inelul nostru de focalizare este compatibil cu o gamă largă de sisteme de gravare uscată și este potrivit pentru diferite procese de gravare din industrii.

Comparație materiale:

Procesul de depunere chimică prin vapori Inelul de margine SiC solid:

Material: Inelul de focalizare este fabricat din SiC solid, un material ceramic de înaltă puritate și performanță. Este fabricat folosind metode precum sinterizarea la temperatură ridicată sau compactarea pulberilor de SiC. Materialul solid SiC oferă durabilitate excepțională, rezistență la temperaturi ridicate și proprietăți mecanice excelente.

Avantaje: Inelul de focalizare solid SiC oferă o stabilitate termică remarcabilă, menținându-și integritatea structurală chiar și în condiții de temperatură ridicată întâlnite în procesele de gravare uscată. Duritatea sa mare asigură rezistența la stres mecanic și uzură, ceea ce duce la o durată de viață extinsă. Mai mult, SiC solid prezintă inerție chimică, protejându-l de coroziune și menținându-și performanța în timp.

Acoperire CVD SiC:

Material: Acoperirea CVD SiC este o depunere în peliculă subțire de SiC folosind tehnici de depunere chimică în vapori (CVD). Acoperirea este aplicată pe un material substrat, cum ar fi grafit sau siliciu, pentru a oferi proprietăți SiC suprafeței.

Comparație: Deși acoperirile CVD SiC oferă unele avantaje, cum ar fi depunerea conformă pe forme complexe și proprietățile filmului reglabil, este posibil să nu se potrivească cu robustețea și performanța SiC solid. Grosimea acoperirii, structura cristalină și rugozitatea suprafeței pot varia în funcție de parametrii procesului CVD, având un impact potențial asupra durabilității și performanței generale a acoperirii.

În rezumat, inelul de focalizare solid SiC VeTek Semiconductor este o alegere excepțională pentru aplicațiile de gravare uscată. Materialul său solid SiC asigură rezistență la temperaturi ridicate, duritate excelentă și inerție chimică, făcându-l o soluție fiabilă și de lungă durată. În timp ce acoperirile CVD SiC oferă flexibilitate în depunere, inelul solid de focalizare SiC excelează în furnizarea de durabilitate și performanță de neegalat necesare proceselor solicitante de gravare uscată.

Magazin de producție VeTek Semiconductor