VeTek Semiconductor este un producător și inovator de inel de margine solid SiC în procesul de depunere în vapori chimic în China. Suntem specializați în materiale semiconductoare de mulți ani. Inelul de margine solid SiC VeTek Semiconductor oferă uniformitate îmbunătățită de gravare și poziționare precisă a plachetelor atunci când este utilizat cu o mandrină electrostatică. , asigurând rezultate de gravare consistente și de încredere. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.
Procesul de depunere chimică prin vapori Inelul de margine solid SiC este utilizat în aplicații de gravare uscată pentru a îmbunătăți controlul procesului și pentru a optimiza rezultatele de gravare. Joacă un rol crucial în direcționarea și limitarea energiei plasmei în timpul procesului de gravare, asigurând îndepărtarea precisă și uniformă a materialului. Inelul nostru de focalizare este compatibil cu o gamă largă de sisteme de gravare uscată și este potrivit pentru diferite procese de gravare din industrii.
Proces CVD Inel de margine solid SiC:
● Material: Inelul de focalizare este fabricat din SiC solid, un material ceramic de înaltă puritate și de înaltă performanță. Este fabricat folosind metode precum sinterizarea la temperatură ridicată sau compactarea pulberilor de SiC. Materialul solid SiC oferă durabilitate excepțională, rezistență la temperaturi ridicate și proprietăți mecanice excelente.
● Avantaje: Inelul cvd sic oferă o stabilitate termică remarcabilă, menținându-și integritatea structurală chiar și în condiții de temperatură ridicată întâlnite în procesele de gravare uscată. Duritatea sa mare asigură rezistența la stres mecanic și uzură, ceea ce duce la o durată de viață extinsă. Mai mult, SiC solid prezintă inerție chimică, protejându-l de coroziune și menținându-și performanța în timp.
Acoperire CVD SiC:
● Material: Acoperirea CVD SiC este o depunere în peliculă subțire de SiC folosind tehnici de depunere chimică în vapori (CVD). Acoperirea este aplicată pe un material substrat, cum ar fi grafit sau siliciu, pentru a oferi proprietăți SiC suprafeței.
● Comparaţie: În timp ce acoperirile CVD SiC oferă unele avantaje, cum ar fi depunerea conformă pe forme complexe și proprietățile filmului reglabil, este posibil să nu se potrivească cu robustețea și performanța SiC solid. Grosimea acoperirii, structura cristalină și rugozitatea suprafeței pot varia în funcție de parametrii procesului CVD, având un impact potențial asupra durabilității și performanței generale a acoperirii.
În rezumat, inelul de focalizare solid SiC VeTek Semiconductor este o alegere excepțională pentru aplicațiile de gravare uscată. Materialul său solid SiC asigură rezistență la temperaturi ridicate, duritate excelentă și inerție chimică, făcându-l o soluție fiabilă și de lungă durată. În timp ce acoperirea CVD SiC oferă flexibilitate în depunere, inelul cvd sic excelează în furnizarea de durabilitate și performanță de neegalat necesare proceselor solicitante de gravare uscată.
Proprietățile fizice ale SiC solid | |||
Densitate | 3.21 | g/cm3 | |
Rezistivitate electrică | 102 | Ω/cm | |
Rezistența la încovoiere | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
Modulul lui Young | 450 | GPa | (6000 kgf/mm2) |
Duritatea Vickers | 26 | GPa | (2650 kgf/mm2) |
C.T.E.(RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Conductivitate termică (RT) | 250 | W/mK |