VeTek Semiconductor este un producător și inovator de cap de duș CVD SiC în China. Suntem specializați în materiale SiC de mulți ani. Capul de duș CVD SiC este ales ca material inel de focalizare datorită stabilității sale termochimice excelente, rezistenței mecanice ridicate și rezistenței la eroziune cu plasmă. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul tău pe termen lung în China.
Puteți fi sigur că cumpărați cap de duș CVD SiC din fabrica noastră. Capul de duș VeTek Semiconductor CVD SiC este fabricat din carbură de siliciu solidă (SiC) folosind tehnici avansate de depunere chimică în vapori (CVD). SiC este ales pentru conductivitatea termică excepțională, rezistența chimică și rezistența mecanică, ideal pentru componentele SiC de volum mare, cum ar fi capul de duș CVD SiC.
Proiectat pentru fabricarea semiconductoarelor, capul de duș CVD SiC rezistă la temperaturi ridicate și la procesarea cu plasmă. Controlul precis al fluxului de gaz și proprietățile superioare ale materialului asigură procese stabile și fiabilitate pe termen lung. Utilizarea CVD SiC îmbunătățește managementul termic și stabilitatea chimică, îmbunătățind calitatea și performanța produselor semiconductoare.
Capul de duș CVD SiC îmbunătățește eficiența creșterii epitaxiale prin distribuirea uniformă a gazelor de proces și protejarea camerei de contaminare. Rezolvă eficient provocările de fabricație a semiconductorilor, cum ar fi controlul temperaturii, stabilitatea chimică și consistența procesului, oferind soluții fiabile clienților.
Utilizat în sistemele MOCVD, epitaxie SiC și epitaxie SiC, capul de duș CVD SiC acceptă producția de dispozitive semiconductoare de înaltă calitate. Rolul său critic asigură controlul precis și stabilitatea procesului, îndeplinind diverse cerințe ale clienților pentru produse de înaltă performanță și de încredere.
Proprietățile fizice ale SiC solid | |||
Densitate | 3.21 | g/cm3 | |
Rezistivitate electrică | 102 | Ω/cm | |
Rezistență la încovoiere | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
Modulul lui Young | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
Duritatea Vickers | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
C.T.E.(RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Conductivitate termică (RT) | 250 | W/mK |