> Produse > Acoperire cu carbură de tantal > Piese de schimb pentru procesul de creștere a cristalului unic SiC

Produse

Produse noi

China Piese de schimb pentru procesul de creștere a cristalului unic SiC Producător, Furnizor, Fabrică

Produsul VeTek Semiconductor, produsele de acoperire cu carbură de tantal (TaC) pentru procesul de creștere a cristalului unic SiC, abordează provocările asociate cu interfața de creștere a cristalelor cu carbură de siliciu (SiC), în special defectele cuprinzătoare care apar la marginea cristalului. Prin aplicarea acoperirii TaC, ne propunem să îmbunătățim calitatea creșterii cristalului și să creștem zona efectivă a centrului cristalului, ceea ce este crucial pentru obținerea unei creșteri rapide și groase.

Acoperirea TaC este o soluție tehnologică de bază pentru creșterea procesului de creștere a unui singur cristal SiC de înaltă calitate. Am dezvoltat cu succes o tehnologie de acoperire cu TaC folosind depunerea chimică în vapori (CVD), care a atins un nivel avansat la nivel internațional. TaC are proprietăți excepționale, inclusiv un punct de topire ridicat de până la 3880°C, rezistență mecanică excelentă, duritate și rezistență la șocuri termice. De asemenea, prezintă o bună inerție chimică și stabilitate termică atunci când este expus la temperaturi ridicate și la substanțe precum amoniacul, hidrogenul și aburul care conține siliciu.

Acoperirea cu carbură de tantal (TaC) de la VeTek Semiconductor oferă o soluție pentru a aborda problemele legate de margini în procesul de creștere a cristalului unic SiC, îmbunătățind calitatea și eficiența procesului de creștere. Cu tehnologia noastră avansată de acoperire TaC, ne propunem să sprijinim dezvoltarea industriei semiconductoare de a treia generație și să reducem dependența de materialele cheie importate.

Metoda PVT SiC Piese de schimb pentru procesul de creștere a unui singur cristal:

Creuzetul acoperit cu TaC, suportul pentru semințe cu acoperire TaC, inelul de ghidare cu acoperire TaC sunt părți importante în cuptorul cu un singur cristal de SiC și AIN prin metoda PVT.

Caracteristica cheie:

- Rezistenta la temperaturi ridicate

- Puritate ridicată, nu va polua materiile prime SiC și monocristalele SiC.

- Rezistent la abur de Al și la coroziune cu N₂

-Temperatura eutectică ridicată (cu AlN) pentru a scurta ciclul de preparare a cristalelor.

-Reciclabil (pana la 200h), imbunatateste durabilitatea si eficienta prepararii unor astfel de monocristale.

Caracteristicile acoperirii TaC

Proprietăți fizice tipice ale acoperirii Tac

Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC
Densitate	14,3 (g/cm³)
Emisivitate specifică	0.3
Coeficientul de dilatare termică	6,3 10-6/K
Duritate (HK)	2000 HK
Rezistenţă	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitate termică	<2500℃
Dimensiunea grafitului se modifică	-10~-20um
Grosimea stratului de acoperire	≥20um valoare tipică (35um±10um)

Inel de deviere acoperit cu carbură de tantal Inel de ghidare a acoperirii TaC Inel de acoperire TaC Placă acoperită cu carbură de tantal Bucătă acoperită cu TaC Tub de acoperire TaC

View as

Inel acoperit cu carbură de tantal

În calitate de inovator profesionist și lider al produselor cu inele acoperite cu carbură de tantal în China, inelul acoperit cu carbură de tantal semiconductor VeTek joacă un rol de neînlocuit în creșterea cristalelor de SiC, datorită rezistenței sale excelente la temperaturi ridicate, rezistenței la uzură și conductibilității termice excelente. Bine ați venit consultația dvs. ulterioară.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Inel de acoperire CVD TaC

Inelul de acoperire CVD TaC al VeTek Semiconductor este o componentă extrem de avantajoasă concepută pentru a satisface cerințele exigente ale proceselor de creștere a cristalelor cu carbură de siliciu (SiC). Inelul de acoperire CVD TaC oferă o rezistență remarcabilă la temperaturi înalte și o inerție chimică, făcându-l o alegere ideală pentru mediile caracterizate de temperaturi ridicate și condiții corozive. Ne angajăm să oferim produse de calitate la prețuri competitive și așteptăm cu nerăbdare să fim partenerul tău pe termen lung. in China.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Grafit poros cu acoperire TaC

Grafitul poros cu TaC Coated este un material avansat de procesare a semiconductoarelor furnizat de VeTek Semiconductor. Grafitul poros cu acoperire cu TaC combină avantajele acoperirii cu grafit poros și carbură de tantal (TaC), cu o bună conductivitate termică și permeabilitate la gaz. VeTek Semiconductor se angajează să ofere produse de calitate la prețuri competitive și așteptăm cu nerăbdare să fim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Tub acoperit cu carbură de tantal pentru creșterea cristalelor

VeTek Semiconductor este un producător și inovator de tuburi acoperite cu carbură de tantal pentru creșterea cristalului în China. Suntem specializați în acoperire ceramică de mulți ani. Produsele noastre au o puritate ridicată și rezistență la temperaturi ridicate. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dvs. pe termen lung. in China.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Inel de ghidare acoperit cu TaC

VeTek Semiconductor este un producător și inovator de top în China. Suntem specializați în acoperirea ceramică de mulți ani. Inelele de ghidare TaC sunt utilizate în principal pentru a ghida și controla fluxul de aer, sporind randamentul creșterii unui singur cristal. Bine ați venit să ne întrebați pentru mai multe informații.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Suport pentru napolitană de grafit acoperit cu TaC

VeTek Semiconductor este un producător și inovator principal de suporturi de napolitană de grafit acoperit cu TaC în China. Suntem specializați în acoperirea cu SiC și TaC de mulți ani. Suportul nostru de napolitană de grafit acoperit cu TaC are o rezistență mai mare la temperatură și rezistent la uzură. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

<1 >

În calitate de producător și furnizor profesionist Piese de schimb pentru procesul de creștere a cristalului unic SiC în China, avem propria noastră fabrică. Indiferent dacă aveți nevoie de servicii personalizate pentru a satisface nevoile specifice ale regiunii dvs. sau doriți să cumpărați Piese de schimb pentru procesul de creștere a cristalului unic SiC avansat și durabil fabricat în China, ne puteți lăsa un mesaj.