China Acoperire cu carbură de siliciu Producător, Furnizor, Fabrică

VeTek Semiconductor este specializată în producția de produse de acoperire cu carbură de siliciu ultra pure, aceste acoperiri sunt concepute pentru a fi aplicate pe grafit purificat, ceramică și componente metalice refractare.

Acoperirile noastre de înaltă puritate sunt destinate în primul rând utilizării în industriile semiconductoare și electronice. Acestea servesc ca un strat de protecție pentru purtătorii de plachete, susceptori și elemente de încălzire, protejându-le de mediile corozive și reactive întâlnite în procese precum MOCVD și EPI. Aceste procese sunt parte integrantă a procesării plachetelor și a fabricării dispozitivelor. În plus, acoperirile noastre sunt potrivite pentru aplicații în cuptoare cu vid și încălzire a probelor, unde se întâlnesc medii de vid înalt, reactive și oxigen.

La VeTek Semiconductor, oferim o soluție cuprinzătoare cu capabilitățile noastre avansate de atelier de mașini. Acest lucru ne permite să fabricăm componentele de bază folosind grafit, ceramică sau metale refractare și să aplicăm acoperirile ceramice SiC sau TaC în interior. Oferim, de asemenea, servicii de acoperire pentru piesele furnizate de client, asigurând flexibilitate pentru a răspunde nevoilor diverse.

Produsele noastre de acoperire cu carbură de siliciu sunt utilizate pe scară largă în epitaxie Si, epitaxie SiC, sistem MOCVD, proces RTP/RTA, proces de gravare, proces de gravare ICP/PSS, proces de diferite tipuri de LED, inclusiv LED albastru și verde, LED UV și UV adânc LED etc., care este adaptat echipamentelor de la LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI și așa mai departe.

Piese de reactor pe care le putem face:

Acoperirea cu carbură de siliciu mai multe avantaje unice:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

Parametru de acoperire cu carbură de siliciu VeTek Semiconductor:

Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC
Proprietate	Valoare tipică
Structura de cristal	FCC policristalină în fază β, orientată în principal (111).
Densitate	3,21 g/cm³
Duritate	Duritate 2500 Vickers (încărcare 500g)
Dimensiunea boabelor	2~10μm
Puritatea chimică	99,99995%
Capacitate termică	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimare	2700℃
Rezistența la încovoiere	415 MPa RT în 4 puncte
Modulul Young	430 Gpa 4 pt îndoire, 1300 ℃
Conductivitate termică	300W·m-1·K-1
Expansiune termică (CTE)	4,5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

View as

Receptor rotativ din grafit

Susceptorul rotativ de grafit de înaltă puritate joacă un rol important în creșterea epitaxială a nitrurii de galiu (procesul MOCVD). VeTek Semiconductor este un important producător și furnizor de susceptori rotativi din grafit din China. Am dezvoltat multe produse din grafit de înaltă puritate bazate pe materiale de grafit de înaltă puritate, care îndeplinesc pe deplin cerințele industriei semiconductoarelor. VeTek Semiconductor așteaptă cu nerăbdare să devină partenerul tău în Rotating Graphite susceptor.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Inel de grafit de înaltă puritate

Inelul de grafit de înaltă puritate este potrivit pentru procesele de creștere epitaxială GaN. Stabilitatea lor excelentă și performanța superioară le-au făcut utilizate pe scară largă. VeTek Semiconductor produce și produce un inel de grafit de înaltă puritate pentru a ajuta industria de epitaxie GaN să continue să progreseze. VeTekSemi așteaptă cu nerăbdare să devină partenerul tău în China.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

CVD SiC Pancake Susceptor

În calitate de producător și inovator de top al produselor CVD SiC Pancake Susceptor în China. VeTek Semiconductor CVD SiC Pancake Susceptor, ca componentă în formă de disc concepută pentru echipamentele semiconductoare, este un element cheie pentru susținerea plăcilor subțiri de semiconductor în timpul depunerii epitaxiale la temperatură înaltă. VeTek Semiconductor se angajează să ofere produse SiC Pancake Susceptor de înaltă calitate și să devină partenerul dumneavoastră pe termen lung în China, la prețuri competitive.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Susceptor de grafit acoperit cu SiC pentru MOCVD

VeTek Semiconductor este un producător și furnizor de top de susceptor de grafit acoperit cu SiC pentru MOCVD în China, specializat în aplicații de acoperire SiC și produse semiconductoare epitaxiale pentru industria semiconductoarelor. Susceptorii noștri de grafit acoperiți cu MOCVD SiC oferă calitate și prețuri competitive, deservind piețele din Europa și America. Ne angajăm să devenim partenerul dumneavoastră de încredere pe termen lung în promovarea producției de semiconductori.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Acoperire CVD SiC Susceptor de epitaxie

Susceptorul de epitaxie de acoperire CVD SiC de la VeTek Semiconductor este un instrument proiectat cu precizie, conceput pentru manipularea și procesarea plăcilor semiconductoare. Acest susceptor de epitaxie a acoperirii cu SiC joacă un rol vital în promovarea creșterii peliculelor subțiri, a straturilor epilate și a altor acoperiri și poate controla cu precizie temperatura și proprietățile materialului. Bun venit întrebările dvs. ulterioare.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Inel de acoperire CVD SiC

Inelul de acoperire CVD SiC este una dintre părțile importante ale părților semilună. Împreună cu alte părți, formează camera de reacție a creșterii epitaxiale SiC. VeTek Semiconductor este un producător și furnizor profesionist de inele de acoperire CVD SiC. În conformitate cu cerințele de proiectare ale clientului, putem oferi inelul de acoperire CVD SiC corespunzător la cel mai competitiv preț. VeTek Semiconductor așteaptă cu nerăbdare să devină partenerul tău pe termen lung în China.

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

<1 2 3 4 5...15 >

În calitate de producător și furnizor profesionist Acoperire cu carbură de siliciu în China, avem propria noastră fabrică. Indiferent dacă aveți nevoie de servicii personalizate pentru a satisface nevoile specifice ale regiunii dvs. sau doriți să cumpărați Acoperire cu carbură de siliciu avansat și durabil fabricat în China, ne puteți lăsa un mesaj.