Susceptori Aixtron G5 MOCVD

VeTek Semiconductor este un producător și inovator principal de susceptori Aixtron G5 MOCVD în China. Suntem specializați în material de acoperire SiC de mulți ani. Oferim susceptori Aixtron G5 MOCVD proiectați special pentru reactorul Aixtron G5 MOCVD. Acest kit de susceptori Aixtron G5 MOCVD este o soluție versatilă și eficientă pentru fabricarea semiconductoarelor cu dimensiunea optimă, compatibilitatea și productivitatea ridicată. Bine ați venit să ne întrebați.

Trimite o anchetă

Descriere produs

În calitate de producător profesionist, VeTek Semiconductor ar dori să vă ofere Susceptori Aixtron G5 MOCVD, cum ar fi piese de grafit acoperite cu SiC, piese de grafit acoperite cu TaC, SiC solid/CVD SiC, piese de cuarț. Bine ați venit să ne întrebați.

Aixtron G5 este un sistem de depunere pentru semiconductori compuși. AIX G5 MOCVD folosește o platformă de reactor planetar AIXTRON, dovedită de clienții de producție, cu un sistem de transfer al cartuşului complet automatizat (C2C). A atins cea mai mare dimensiune a unei singure cavități din industrie (8 x 6 inchi) și cea mai mare capacitate de producție. Oferă configurații flexibile de 6 și 4 inchi, concepute pentru a minimiza costurile de producție, menținând în același timp calitatea excelentă a produsului. Sistemul CVD planetar cu perete cald se caracterizează prin creșterea mai multor plăci într-un singur cuptor, iar eficiența de ieșire este ridicată. VeTek Semiconductor oferă un set complet de accesorii pentru sistemul Aixtron G5 MOCVD, Susceptorii Aixtron G5 MOCVD constă din următoarele accesorii:

Piesă de împingere, anti-rotire	Inel de distribuție	Tavan	Suport, Tavan, Izolat	Placă de acoperire, exterioară
Placă de acoperire, interioară	Inel de acoperire	Disc	Disc de acoperire cu tragere	Pin
Șaibă de știfturi	Discul Planetar	Gap inel de intrare colector	Superior colector de evacuare	Obturator
Inel de sprijin	Tub de susținere

Aixtron G5,EPI susceptor,MOCVD susceptor

Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC:

Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC
Proprietate	Valoare tipica
Structură cristalină	FCC policristalină în fază β, orientată în principal (111).
Densitate	3,21 g/cm³
Duritate	Duritate 2500 Vickers (încărcare 500g)
Marimea unui bob	2~10μm
Puritatea chimică	99,99995%
Capacitatea termică	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimare	2700℃
Rezistență la încovoiere	415 MPa RT în 4 puncte
Modulul Young	430 Gpa 4 pt îndoire, 1300 ℃
Conductivitate termică	300W·m-1·K-1
Expansiune termică (CTE)	4,5×10-6K-1