VeTek Semiconductor este un producător și inovator de acoperire acoperită cu carbură de tantal în China. Suntem specializați în acoperire TaC și SiC de mulți ani. Produsele noastre au o rezistență la coroziune, rezistență ridicată. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.
Găsiți o selecție uriașă de acoperire acoperită cu carbură de tantal din China la VeTek Semiconductor. Oferiți servicii post-vânzare profesionale și prețul corect, așteptând cu nerăbdare cooperarea. Capacul acoperit cu carbură de tantal dezvoltat de VeTek Semiconductor este un accesoriu special conceput pentru sistemul AIXTRON G10 MOCVD, având ca scop optimizarea eficienței și îmbunătățirea calității producției semiconductoarelor. Este realizat cu meticulozitate folosind materiale de înaltă calitate și fabricat cu cea mai mare precizie, asigurând performanță și fiabilitate remarcabile pentru procesele de depunere în vapori metalo-organici (MOCVD).
Construit cu un substrat de grafit acoperit cu depunere chimică în vapori (CVD) carbură de tantal (TaC), capacul acoperit cu carbură de tantal oferă stabilitate termică excepțională, puritate ridicată și rezistență la temperaturi ridicate. Această combinație unică de materiale oferă o soluție fiabilă pentru condițiile de funcționare solicitante ale sistemului MOCVD.
Capacul acoperit cu carbură de tantal este personalizabil pentru a găzdui diferite dimensiuni ale plachetelor de semiconductor, făcându-l potrivit pentru diverse cerințe de producție. Construcția sa robustă este proiectată special pentru a rezista mediului provocator MOCVD, asigurând performanțe de lungă durată și minimizând timpul de nefuncționare și costurile de întreținere asociate cu suporturile și suporturile de wafer.
Prin încorporarea capacului TaC în sistemul AIXTRON G10 MOCVD, producătorii de semiconductori pot obține o eficiență mai mare și rezultate superioare. Stabilitatea termică excepțională, compatibilitatea cu diferite dimensiuni ale plachetelor și performanța fiabilă a discului planetar îl fac un instrument indispensabil pentru optimizarea eficienței producției și obținerea de rezultate remarcabile în procesul MOCVD.
Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC | |
Densitate | 14,3 (g/cm³) |
Emisivitate specifică | 0.3 |
Coeficientul de dilatare termică | 6.3 10-6/K |
Duritate (HK) | 2000 HK |
Rezistenţă | 1×10-5Ohm*cm |
Stabilitate termică | <2500℃ |
Dimensiunea grafitului se modifică | -10~-20um |
Grosimea acoperirii | ≥20um valoare tipică (35um±10um) |