Inelul deflector acoperit cu TaC de la VeTek Semiconductor este o componentă foarte specializată concepută pentru procesele de creștere a cristalelor de SiC. Acoperirea TaC oferă o rezistență excelentă la temperaturi ridicate și o inerție chimică pentru a face față temperaturilor ridicate și mediilor corozive în timpul procesului de creștere a cristalelor. Acest lucru asigură o performanță stabilă și o durată lungă de viață a componentei, reducând frecvența înlocuirii și timpul de nefuncționare. Ne angajăm să oferim produse de calitate la prețuri competitive și așteptăm cu nerăbdare să fim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.
VeTek Semiconductor este un producător și furnizor profesionist de inel deflector acoperit cu TaC din China. Inelul deflector acoperit cu TaC este componente extrem de specializate concepute pentru a fi utilizate în procesele de creștere a cristalelor SiC. Aceste componente sunt critice în mediile care necesită rezistență la temperaturi ridicate, durabilitate excepțională și inerție chimică de neegalat.
Inelul deflector acoperit cu TaC este fabricat din carbură de tantal de înaltă puritate, care oferă o conductivitate termică excelentă și rezistență extremă la temperaturi ridicate și șocuri termice. Acoperirea TaC a componentei oferă un strat suplimentar de protecție împotriva substanțelor chimice agresive și a mediilor dure comune în creșterea cristalelor. Prezența acoperirii crește durabilitatea și durata de viață a componentei, menținând performanța constantă pe mai multe cicluri.
Inelul deflector acoperit cu TaC poate rezista la temperaturi de până la 2200°C, făcându-l ideal pentru procesele de temperatură înaltă. Inelul deflector acoperit cu TaC este utilizat în principal în industria semiconductoarelor, în special pentru creșterea cristalelor de carbură de siliciu. Potrivit atât pentru cercetare, cât și pentru reactoarele de creștere cristalină la scară industrială.
Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC | |
Densitate | 14,3 (g/cm³) |
Emisivitate specifică | 0.3 |
Coeficientul de dilatare termică | 6,3 10-6/K |
Duritate (HK) | 2000 HK |
Rezistenţă | 1×10-5 Ohm*cm |
Stabilitate termică | <2500℃ |
Dimensiunea grafitului se modifică | -10~-20um |
Grosimea stratului de acoperire | ≥20um valoare tipică (35um±10um) |