VeTek Semiconductor este un producător și inovator de discuri planetare acoperite cu carbură de tantal în China. Suntem specializați în acoperire ceramică de mulți ani. Produsele noastre au o puritate ridicată și rezistență la temperaturi ridicate. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dvs. pe termen lung în China.
Discul de rotație planetară acoperit cu carbură de tantal de înaltă calitate este oferit de producătorul chinez VeTek Semiconductor. Cumpărați disc de rotație planetară acoperit cu carbură de tantal care este de înaltă calitate direct la preț scăzut.
Discul de rotație planetar acoperit cu carbură de tantal este un accesoriu proiectat pentru sistemul AIXTRON G10 MOCVD, având ca scop sporirea eficienței și calității în fabricarea semiconductorilor. Fabricat din materiale de înaltă calitate și fabricat cu precizie, discul de rotație planetar acoperit cu carbură de tantal oferă performanțe și fiabilitate remarcabile pentru procesele de depunere în vapori metalo-organici (MOCVD).
Discul planetar este construit folosind un substrat de grafit acoperit cu CVD TaC, oferind stabilitate termică excelentă, puritate ridicată și rezistență la temperaturi ridicate.
Personalizabil pentru a găzdui diferite dimensiuni ale plachetelor de semiconductor, discul planetar este potrivit pentru diferite cerințe de producție. Construcția sa robustă este proiectată special pentru a rezista la condițiile de operare solicitante ale sistemului MOCVD, asigurând performanțe de lungă durată și reducând la minimum timpul de nefuncționare și costurile de întreținere asociate cu suporturile și suporturile de wafer.
Cu Planetary Disk, sistemul AIXTRON G10 MOCVD poate obține o eficiență mai mare și rezultate superioare în fabricarea semiconductorilor. Stabilitatea sa termică excepțională, compatibilitatea cu diferite dimensiuni ale plachetelor și performanța fiabilă îl fac un instrument esențial pentru optimizarea eficienței producției și obținerea de rezultate remarcabile în mediul MOCVD provocator.
Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC | |
Densitate | 14,3 (g/cm³) |
Emisivitate specifică | 0.3 |
Coeficientul de dilatare termică | 6,3 10-6/K |
Duritate (HK) | 2000 HK |
Rezistenţă | 1×10-5 Ohm*cm |
Stabilitate termică | <2500℃ |
Dimensiunea grafitului se modifică | -10~-20um |
Grosimea stratului de acoperire | ≥20um valoare tipică (35um±10um) |