Mandrină acoperită cu carbură de tantal

VeTek Semiconductor este un producător și inovator principal de mandrine acoperite cu carbură de tantal în China. Suntem specializați în acoperirea TaC de mulți ani. Produsele noastre au o puritate ridicată și rezistență la temperaturi ridicate de până la 2000 ℃. Așteptăm cu nerăbdare să devenim pe termen lung. partener în China.

Trimite o anchetă

Descriere produs

VeTek Semiconductor furnizează mandrina acoperită cu carbură de tantal de înaltă calitate, piese de acoperire SiC cu preț competitiv. Bine ați venit să ne întrebați. Acest accesoriu îmbunătățește eficiența și calitatea în fabricarea semiconductoarelor, oferind performanțe și fiabilitate remarcabile.

Fabricat din materiale de înaltă calitate și fabricat cu precizie, mandrina are un substrat de grafit acoperit cu carbură de tantal CVD (TaC). Acest strat oferă stabilitate termică excelentă, puritate ridicată și rezistență la temperaturi ridicate. Acesta asigură performanță fiabilă în condițiile solicitante ale proceselor MOCVD.

Mandrina este personalizabilă pentru a găzdui diferite dimensiuni ale plăcilor de semiconductor, făcându-l potrivit pentru diferite cerințe de producție. Construcția sa robustă minimizează timpul de nefuncționare și costurile de întreținere asociate cu suporturile și suporturile de napolitane.

Cu mandrina acoperită cu carbură de tantalu VeTek Semiconductor, sistemul AIXTRON G10 MOCVD realizează o eficiență mai mare și rezultate superioare în fabricarea semiconductoarelor. Stabilitatea sa termică excepțională, compatibilitatea cu diferite dimensiuni ale plachetelor și performanța fiabilă îl fac un instrument esențial pentru optimizarea eficienței producției și obținerea de rezultate remarcabile în mediul MOCVD provocator.

Parametrul de produs al mandrinei acoperite cu carbură de tantal

Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC
Densitate	14,3 (g/cm³)
Emisivitate specifică	0.3
Coeficientul de dilatare termică	6,3 10-6/K
Duritate (HK)	2000 HK
Rezistenţă	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitate termică	<2500℃
Dimensiunea grafitului se modifică	-10~-20um
Grosimea stratului de acoperire	≥20um valoare tipică (35um±10um)