Susceptor de acoperire TaC

VeTek Semiconductor prezintă TaC Coating Susceptor, Cu acoperirea sa excepțională TaC, acest susceptor oferă o multitudine de avantaje care îl deosebesc de soluțiile convenționale. Integrându-se perfect în sistemele existente, TaC Coating Susceptor de la VeTek Semiconductor garantează compatibilitate și funcționare eficientă. Performanța sa fiabilă și acoperirea TaC de înaltă calitate oferă în mod constant rezultate excepționale în procesele de epitaxie SiC. Ne angajăm să oferim produse de calitate la prețuri competitive și așteptăm cu nerăbdare să fim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Susceptorul și inelul acoperiți cu TaC de la VeTek Semiconductor lucrează împreună în reactorul de creștere epitaxială cu carbură de siliciu LPE:

Rezistență la temperatură înaltă: Susceptorul de acoperire TaC are o rezistență excelentă la temperatură înaltă, capabil să reziste la temperaturi extreme de până la 1500°C în reactorul LPE. Acest lucru asigură că echipamentul și componentele nu se deformează sau nu se deteriorează în timpul funcționării pe termen lung.

Stabilitate chimică: Susceptorul de acoperire TaC funcționează excepțional de bine în mediul coroziv de creștere a carburii de siliciu, protejând eficient componentele reactorului de atacurile chimice corozive, prelungind astfel durata de viață a acestora.

Stabilitate termică: Susceptorul de acoperire TaC are o stabilitate termică bună, menținând morfologia suprafeței și rugozitatea pentru a asigura uniformitatea câmpului de temperatură în reactor, ceea ce este benefic pentru creșterea de înaltă calitate a straturilor epitaxiale de carbură de siliciu.

Anti-contaminare: Suprafața netedă acoperită cu TaC și performanța superioară TPD (Desorbție programată prin temperatură) pot minimiza acumularea și adsorbția particulelor și impurităților în interiorul reactorului, prevenind contaminarea straturilor epitaxiale.

În rezumat, susceptorul și inelul acoperiți cu TaC joacă un rol protector critic în reactorul de creștere epitaxială cu carbură de siliciu LPE, asigurând funcționarea stabilă pe termen lung a echipamentului și creșterea de înaltă calitate a straturilor epitaxiale.

Parametrul de produs al susceptorului de acoperire TaC:

Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC
Densitate	14,3 (g/cm³)
Emisivitate specifică	0.3
Coeficientul de dilatare termică	6,3 10-6/K
Duritate (HK)	2000 HK
Rezistenţă	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitate termică	<2500℃
Dimensiunea grafitului se modifică	-10~-20um
Grosimea acoperirii	≥20um valoare tipică (35um±10um)