Piesă de etanșare SiC

Partea de etanșare SiC joacă un rol cheie în procesarea semiconductoarelor. Proprietățile sale excelente ale materialului și efectul de etanșare fiabil nu numai că îmbunătățesc eficiența producției, dar asigură și calitatea și siguranța produsului.

Principalele avantaje ale piesei de etanșare cu carbură de siliciu:

Rezistență excelentă la coroziune: Dintre materialele ceramice avansate, VeTeksemi SiC Sealing Part poate avea cea mai bună rezistență la coroziune în medii acide și alcaline. Această rezistență de neegalat la coroziune asigură că SiC Sealing Part poate funcționa eficient în medii chimic corozive, făcându-l un material indispensabil în industriile care sunt adesea expuse la substanțe corozive.

Ușoare și puternice: Carbura de siliciu are o densitate de aproximativ 3,2 g/cm³ și, în ciuda faptului că este un material ceramic ușor, rezistența carburii de siliciu este comparabilă cu cea a diamantului. Această combinație de ușurință și rezistență îmbunătățește performanța componentelor mecanice, crescând astfel eficiența și reducând uzura în aplicațiile industriale solicitante. Natura ușoară a părții de etanșare SiC facilitează, de asemenea, manipularea și instalarea mai ușoară a componentelor.

Duritate extrem de ridicată și conductivitate termică ridicată: Carbura de siliciu are o duritate Mohs de 9 ~ 10, comparabil cu diamantul. Această proprietate, combinată cu o conductivitate termică ridicată (aproximativ 120-200 W/m·K la temperatura camerei), permite etanșărilor SiC să funcționeze în condiții care ar deteriora materialele inferioare. Proprietățile mecanice excelente ale SiC sunt menținute la temperaturi de până la 1600°C, asigurând că etanșările SiC rămân robuste și fiabile chiar și în aplicații la temperaturi ridicate.

Duritate ridicată și rezistență la uzură: Carbura de siliciu se caracterizează prin legături covalente puternice în rețeaua sa cristalină, oferindu-i duritate ridicată și un modul elastic considerabil. Aceste proprietăți se traduc prin rezistență excelentă la uzură, reducând probabilitatea de îndoire sau deformare chiar și după utilizare pe termen lung. Acest lucru face din SiC o alegere excelentă pentru piesele de etanșare din SiC care sunt supuse unor solicitări mecanice continue și condiții abrazive.

Formarea stratului protector de dioxid de siliciu: Când este expus la temperaturi de aproximativ 1300°C într-un mediu bogat în oxigen, carbura de siliciu formează un dioxid de siliciu protector (SiO2).₂) strat pe suprafața sa. Acest strat acționează ca o barieră, prevenind oxidarea ulterioară și interacțiunile chimice. Ca SiO₂stratul se îngroașă, protejează și mai mult SiC subiacent de alte reacții. Acest proces de oxidare cu autolimitare conferă SiC rezistență chimică și stabilitate excelente, făcând etanșările SiC adecvate pentru utilizare în medii reactive și cu temperaturi ridicate.

Versatilitate în aplicații de înaltă performanță:Proprietățile unice ale carburii de siliciu îl fac versatil și eficient într-o varietate de aplicații de înaltă performanță. De la etanșări mecanice și rulmenți până la schimbătoare de căldură și componente ale turbinei, capacitatea Piesei de etanșare SiC de a rezista la condiții extreme și de a-și menține integritatea o face materialul de alegere în soluțiile avansate de inginerie.

VeTek Semiconductor s-a angajat să furnizeze tehnologii avansate și soluții de produse pentru industria semiconductoarelor. În plus, produsele noastre SiC includ șiAcoperire cu carbură de siliciu, Ceramica din carbură de siliciuşiProcesul de epitaxie SiCproduse. Bine ați venit consultația dvs. ulterioară.

DATE SEM ALE STRUCTURII DE CRISTAL DE FILM CVD SIC：