LPE SiC EPI Halfmoon

LPE SiC Epi Halfmoon de la VeTek Semiconductor, un produs revoluționar conceput pentru a ridica procesele de epitaxie SiC din reactorul LPE. Această soluție de ultimă oră se mândrește cu mai multe caracteristici cheie care asigură performanță și eficiență superioară pe parcursul operațiunilor dumneavoastră de producție. Așteptăm cu nerăbdare să stabilim o cooperare pe termen lung cu dumneavoastră.

Trimite o anchetă

Descriere produs

În calitate de producător profesionist, VeTek Semiconductor ar dori să vă ofere LPE SiC Epi Halfmoon de înaltă calitate.

LPE SiC Epi Halfmoon oferă o precizie și acuratețe excepționale, garantând o creștere uniformă și straturi epitaxiale de înaltă calitate. Designul său inovator și tehnicile avansate de fabricație oferă suport optim pentru plachete și management termic, oferind rezultate consistente și minimizând defectele.

În plus, LPE SiC Epi Halfmoon este acoperit cu un strat premium de carbură de tantal (TaC), sporindu-și performanța și durabilitatea. Această acoperire TaC îmbunătățește semnificativ conductivitatea termică, rezistența chimică și rezistența la uzură, protejând produsul și prelungindu-i durata de viață.

Integrarea acoperirii TaC în LPE SiC Epi Halfmoon aduce îmbunătățiri semnificative fluxului dumneavoastră de proces. Îmbunătățește managementul termic, asigurând o disipare eficientă a căldurii și menținând o temperatură de creștere stabilă. Această îmbunătățire duce la o stabilitate îmbunătățită a procesului, la reducerea stresului termic și la un randament global îmbunătățit.

În plus, acoperirea TaC minimizează contaminarea materialului, permițând o mai curată și mai mult

proces de epitaxie controlat. Acționează ca o barieră împotriva reacțiilor și impurităților nedorite, rezultând straturi epitaxiale de puritate mai mare și performanțe îmbunătățite ale dispozitivului.

Alegeți LPE SiC Epi Halfmoon de la VeTek Semiconductor pentru procese de epitaxie de neegalat. Experimentați beneficiile designului său avansat, preciziei și puterii de transformare a acoperirii TaC în optimizarea operațiunilor dumneavoastră de producție. Creșteți-vă performanța și obțineți rezultate excepționale cu soluția lider în industrie VeTek Semiconductor.

Parametrul de produs al LPE SiC Epi Halfmoon:

Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC
Densitate	14,3 (g/cm³)
Emisivitate specifică	0.3
Coeficientul de dilatare termică	6,3 10-6/K
Duritate (HK)	2000 HK
Rezistenţă	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitate termică	<2500℃
Dimensiunea grafitului se modifică	-10~-20um
Grosimea stratului de acoperire	≥20um valoare tipică (35um±10um)