Tavă de transport pentru napolitane

Puteți fi sigur că cumpărați tava Wafer Carrier din fabrica noastră.

Vetek semiconductor furnizează în principal piese de grafit de acoperire CVD SiC, cum ar fi tava de transport pentru plachete, pentru echipamentul SiC-CVD cu semiconductor de a treia generație și este dedicat furnizării de echipamente de producție avansate și competitive pentru industrie. Echipamentul SiC-CVD este utilizat pentru creșterea stratului epitaxial omogen de film subțire monocristal pe substrat de carbură de siliciu, foaia epitaxială SiC este utilizată în principal pentru fabricarea dispozitivelor de putere, cum ar fi dioda Schottky, IGBT, MOSFET și alte dispozitive electronice.

Echipamentul combină îndeaproape procesul și echipamentul. Echipamentul SiC-CVD are avantaje evidente în ceea ce privește capacitatea de producție mare, compatibilitatea cu 6/8 inchi, costul competitiv, controlul continuu al creșterii automate pentru mai multe cuptoare, rata scăzută de defecte, comoditatea de întreținere și fiabilitatea prin proiectarea controlului câmpului temperaturii și controlului câmpului debitului. Combinat cu tava de transport pentru napolitană acoperită cu SiC furnizată de Vetek Semiconductor, poate îmbunătăți eficiența de producție a echipamentului, poate prelungi durata de viață și poate controla costurile.

Tava de transport pentru napolitană a semiconductorului Vetek are în principal puritate ridicată, stabilitate bună la grafit, precizie ridicată de procesare, plus acoperire CVD SiC, stabilitate la temperatură ridicată: Acoperirile cu carbură de siliciu au o stabilitate excelentă la temperatură ridicată și protejează substratul de căldură și coroziune chimică în medii cu temperaturi extrem de ridicate .

Duritate și rezistență la uzură: acoperirile cu carbură de siliciu au de obicei o duritate ridicată, oferind o rezistență excelentă la uzură și prelungind durata de viață a substratului.

Rezistență la coroziune: Acoperirea cu carbură de siliciu este rezistentă la coroziune la multe substanțe chimice și poate proteja substratul de deteriorarea coroziunii.

Coeficient de frecare redus: acoperirile cu carbură de siliciu au de obicei un coeficient de frecare scăzut, ceea ce poate reduce pierderile prin frecare și poate îmbunătăți eficiența de lucru a componentelor.

Conductivitate termică: Învelișul cu carbură de siliciu are de obicei o conductivitate termică bună, ceea ce poate ajuta substratul să disperseze mai bine căldura și să îmbunătățească efectul de disipare a căldurii al componentelor.

În general, acoperirea cu carbură de siliciu CVD poate oferi o protecție multiplă pentru substrat, poate prelungi durata de viață a acestuia și poate îmbunătăți performanța acestuia.

Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC:

Magazine de productie:

Prezentare generală a lanțului industriei de epitaxie a cipurilor semiconductoare: