Crezet pentru siliciu monocristalin

În metoda CZ (Czochralski), un singur cristal este crescut prin aducerea unei sămânțe monocristaline în contact cu siliciul policristalin topit. Sămânța este trasă treptat în sus în timp ce este rotită încet. În acest proces, se utilizează un număr semnificativ de piese din grafit, ceea ce o face metoda care utilizează cea mai mare cantitate de componente din grafit în fabricarea semiconductorilor de siliciu.

Imaginea de mai jos oferă o reprezentare schematică a unui cuptor de fabricație de siliciu cu un singur cristal bazat pe metoda CZ.

Creuza Vetek Semiconductor pentru siliciu monocristalin oferă un mediu stabil și controlat crucial pentru formarea precisă a cristalelor semiconductoare. Acestea sunt esențiale în creșterea lingourilor de siliciu monocristalin folosind tehnici avansate, cum ar fi procesul Czochralski și metodele cu zonele plutitoare, care sunt vitale pentru producerea de materiale de înaltă calitate pentru dispozitive electronice.

Proiectate pentru o stabilitate termică remarcabilă, rezistență la coroziune chimică și dilatare termică minimă, aceste creuzete asigură durabilitate și robustețe. Sunt proiectate pentru a rezista la medii chimice dure, fără a compromite integritatea structurală sau performanța, extinzând astfel durata de viață a creuzetului și menținând performanța constantă în timpul utilizării prelungite.

Compoziția unică a creuzetelor Vetek Semiconductor pentru siliciu monocristalin le permite să suporte condițiile extreme de procesare la temperatură înaltă. Acest lucru garantează stabilitate termică și puritate excepționale, care sunt esențiale pentru procesarea semiconductoarelor. Compoziția facilitează, de asemenea, transferul eficient de căldură, promovând cristalizarea uniformă și minimizând gradienții termici în topitura de siliciu.

Avantajele susceptorului nostru de acoperire SiC:

Protecția materialului de bază: Acoperirea CVD SiC acționează ca un strat protector în timpul procesului epitaxial, protejând eficient materialul de bază de eroziune și daune cauzate de mediul extern. Această măsură de protecție prelungește foarte mult durata de viață a echipamentului.

Conductivitate termică excelentă: Acoperirea noastră CVD SiC posedă o conductivitate termică remarcabilă, transferând eficient căldura de la materialul de bază la suprafața acoperirii. Acest lucru îmbunătățește eficiența managementului termic în timpul epitaxiei, asigurând temperaturi optime de funcționare pentru echipament.

Calitate îmbunătățită a filmului: Acoperirea CVD SiC oferă o suprafață plană și uniformă, creând o bază ideală pentru creșterea filmului. Reduce defectele rezultate din nepotrivirea rețelei, sporește cristalinitatea și calitatea filmului epitaxial și, în cele din urmă, îi îmbunătățește performanța și fiabilitatea.

Alegeți susceptorul nostru de acoperire SiC pentru nevoile dvs. de producție de plachete epitaxiale și beneficiați de protecție îmbunătățită, conductivitate termică superioară și calitate îmbunătățită a filmului. Aveți încredere în soluțiile inovatoare VeTek Semiconductor pentru a vă stimula succesul în industria semiconductoarelor.

Magazine de productie:

Prezentare generală a lanțului industriei de epitaxie a cipurilor semiconductoare: