Creuza de grafit cu trei petale de la VeTek Semiconductor este un recipient special conceput pentru tratarea termică a materialelor semiconductoare, în special pentru producerea de monocristale. Joacă un rol vital în controlul creșterii structurilor monocristaline necesare pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare. VeTek Semiconductor așteaptă cu nerăbdare să devină partenerul tău pe termen lung în China.
VeTek Semiconductor este un producător și furnizor profesionist de creuzet din grafit cu trei petale din China. Bine ați venit să ne întrebați! Creuza din grafit cu trei petale de la VeTek Semiconductor este realizată în principal din material de grafit de înaltă puritate, oferind stabilitate termică excelentă, rezistență chimică și proprietăți de dilatare termică. Aceste caracteristici permit creuzetului de grafit cu trei petale de la VeTek Semiconductor să reziste la condiții extreme în timpul procesării la temperatură ridicată.
Creuza de grafit cu trei petale este proiectată precis pentru a face față condițiilor solicitante ale proceselor de fabricație a semiconductorilor. Are un design cilindric robust, cu o suprafață interioară netedă, facilitând distribuția uniformă a căldurii și creșterea cristalelor. În plus, creuzetul de grafit cu trei petale de la VeTek Semiconductor este proiectat pentru a minimiza riscul de contaminare a materialului semiconductor cu impurități.
Creuza de grafit cu trei petale prezintă o conductivitate termică remarcabilă, asigurând un transfer eficient de căldură și o distribuție uniformă a temperaturii în timpul procesului de cristalizare. Acest lucru promovează creșterea uniformă a cristalelor și minimizează gradienții termici care pot afecta calitatea produsului.
Creuza de grafit cu trei petale de la VeTek Semiconductor își găsește o largă aplicație în diferite procese de fabricare a semiconductoarelor, inclusiv creșterea lingourilor de siliciu monocristal prin tehnici precum metoda Czochralski și metoda zonei plutitoare. Aceste creuzete oferă un mediu stabil și controlat pentru formarea precisă a cristalelor semiconductoare, care este crucială pentru producerea de materiale de înaltă calitate pentru dispozitive electronice.
Pentru specificațiile detaliate ale produsului pentru creuzetul de grafit cu trei petale, vă rugăm să contactați VeTek Semiconductor.
Proprietățile fizice ale grafitului izostatic | ||
Proprietate | Unitate | Valoare tipica |
Densitate în vrac | g/cm³ | 1.83 |
Duritate | HSD | 58 |
Rezistență electrică | mΩ.m | 10 |
Rezistență la încovoiere | MPa | 47 |
Rezistenta la compresiune | MPa | 103 |
Rezistență la tracțiune | MPa | 31 |
Modulul Young | GPa | 11.8 |
Expansiune termică (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
Conductivitate termică | W·m-1·K-1 | 130 |
Dimensiunea medie a boabelor | μm | 8-10 |
Porozitate | % | 10 |
Continut de cenusa | ppm | ≤10 (după purificare) |