Încălzitor din grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciu

VeTek Semiconductor Încălzitor din grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciucombină conductivitatea electrică și termică excelentă a grafitului cu rezistența la temperaturi ridicate, rezistența la coroziune și rezistența la uzură a stratului de siliciu carbon-ceramic și este proiectat pentru medii dure de fabricare a semiconductorilor. 

Încălzitor din grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciueste utilizat în principal în echipamentele de acoperire în vid (evaporare), iar metodele utilizate în mod obișnuit sunt PCD (Uscare chimică cu plasmă) și PVD (depunere fizică de vapori). Acest produs a jucat un rol important în promovarea progresului tehnologic și îmbunătățirea eficienței producției în industria semiconductoarelor.Așteptăm cu nerăbdare să cooperăm în continuare cu dvs.

Caracteristicile materiale și structurale ale încălzitorului din grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciu sunt următoarele:

Substrat de grafit: Grafitul este cunoscut pentru conductivitatea termică ridicată și coeficientul scăzut de dilatare termică. Poate răspunde rapid la schimbările de temperatură și poate menține stabilitatea structurală la temperaturi ridicate.

Acoperire silicon carbon ceramica: Acoperirea SiC este acoperită uniform pe suprafața de grafit prin depunere chimică de vapori sau alte procese avansate. SiC are o duritate extrem de ridicată și rezistență la coroziune chimică, ceea ce poate proteja substratul de grafit de oxidarea la temperatură înaltă și mediile corozive.

Designul structural al produsului special al încălzitorului din grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciu determinăavantajele de produs de neînlocuit ale acestui produs în procesul de prelucrare a semiconductorilor:

Incalzire eficienta si uniforma:

Conductivitate termică: Conductivitatea termică ridicată a grafitului permite încălzitorului să atingă și să mențină rapid temperatura necesară, iar stratul de SiC asigură o distribuție uniformă a căldurii. Acest lucru este deosebit de important pentru procesele semiconductoare care necesită un control precis al temperaturii, cum ar fi procesarea termică rapidă (RTP) și depunerea chimică în vapori (CVD).

Uniformitatea temperaturii: Prin distribuția uniformă a căldurii, încălzitorul de grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciu poate reduce eficient stresul termic și gradientul de temperatură, asigurând consistența și stabilitatea calității plachetelor semiconductoare pe tot parcursul procesului de încălzire.

Protectie anticoroziva:

Rezistenta chimica: Rezistența la coroziune chimică a stratului de SiC permite încălzitorului să funcționeze stabil și pentru o lungă perioadă de timp în medii chimice și gazoase corozive, evitând deteriorarea substratului de grafit. Această caracteristică este deosebit de critică în procese precum depunerea chimică în vapori (CVD) și depunerea chimică în vapori îmbunătățită cu plasmă (PECVD).

Rezistenta la oxidare: La temperaturi ridicate, acoperirea SiC poate preveni oxidarea substratului de grafit, poate prelungi durata de viață a încălzitorului și poate reduce frecvența și costul întreținerii echipamentului.

Reduceți contaminarea cu particule:

Stabilitatea suprafeței: Acoperirea SiC nu este doar rezistentă la uzură, dar previne și căderea particulelor de pe suprafața materialului din cauza ciclurilor termice sau a reacțiilor chimice, reducând astfel riscul de contaminare a particulelor care poate apărea în timpul producției de semiconductori și asigurând un mediu de proces de înaltă curățenie.

Îmbunătățiți fiabilitatea și eficiența procesului:

Design cu durată lungă de viață: Datorită combinației dintre rezistența mecanică a grafitului și rezistența la uzură a acoperirii SiC, încălzitorul din grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciu poate menține o funcționare de înaltă eficiență pentru o lungă perioadă de timp în condiții dure de proces, îmbunătățind semnificativ fiabilitatea generală a echipamentului.

Utilizare eficientă a energiei: Conductivitatea termică ridicată a grafitului și stabilitatea la temperatură ridicată a acoperirii SiC permit încălzitorului să reducă consumul de energie, îmbunătățind în același timp precizia controlului temperaturii, îmbunătățind astfel eficiența generală a producției de semiconductori.

Proprietățile fizice de bază aleÎncălzitor din grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciu:

VeTek SemiconductorÎncălzitor din grafit cu acoperire ceramică cu carbură de siliciumagazine:

Prezentare generală a lanțului industriei de epitaxie a cipurilor semiconductoare:

/altul-proces