Destinatarul EPI

Susceptorul EPI al VeTek Semiconductor este proiectat pentru aplicațiile solicitante ale echipamentelor epitaxiale. Structura sa de grafit acoperită cu carbură de siliciu (SiC) de înaltă puritate oferă o rezistență excelentă la căldură, uniformitate termică uniformă pentru grosime și rezistență consistentă a stratului epitaxial și rezistență chimică de lungă durată. Așteptăm cu nerăbdare să cooperăm cu dvs.

Trimite o anchetă

Descriere produs

VeTek Semiconductor este un lider profesionist China EPI Receiver, ALD Planetary Receiver, TaC Coated Graphite Receiver producător.

Susceptorul EPI al VeTek Semiconductor este o componentă importantă a creșterii epitaxiale în procesul de fabricație a semiconductorilor. Funcția sa principală este de a susține și încălzi napolitana, astfel încât un strat epitaxial de înaltă calitate să poată fi crescut uniform pe suprafața plachetei.

Susceptorii EPI ai VeTek Semiconductors sunt de obicei fabricați din grafit de înaltă puritate și acoperiți cu un strat de carbură de siliciu (SiC). Acest design are următoarele avantaje cheie:

Stabilitate la temperaturi ridicate: Susceptorul EPI poate rămâne stabil într-un mediu cu temperatură ridicată, asigurând creșterea uniformă a stratului epitaxial.

Rezistenta la coroziune: Acoperirea SiC are o rezistență excelentă la coroziune și poate rezista la eroziunea gazelor chimice, prelungind durata de viață a tăvii.

Conductivitate termică: Conductivitatea termică ridicată a materialului SiC asigură distribuția uniformă a temperaturii plachetei în timpul încălzirii, îmbunătățind astfel calitatea stratului epitaxial.

Potrivirea coeficientului de dilatare termică: Coeficientul de dilatare termică al SiC este similar cu cel al grafitului, evitând problema vărsării acoperirii din cauza dilatației și contracției termice.

Proprietățile fizice de bază aleDestinatarul EPI: