Set Receptor LPE SI EPI

VeTek Semiconductor este un producător și inovator de seturi de susceptori LPE Si Epi în China. Suntem specializați în acoperire SiC și acoperire TaC de mulți ani. Oferim un set de susceptori LPE Si Epi conceput special pentru napolitanele LPE PE2061S 4''. Gradul de potrivire al materialului din grafit și al stratului de SiC este bun, uniformitatea este excelentă și durata de viață lungă, ceea ce poate îmbunătăți randamentul creșterii stratului epitaxial în timpul procesului LPE (Epitaxie în fază lichidă). Vă urăm bun venit să vizitați fabrica noastră în China.

Trimite o anchetă

Descriere produs

VeTek Semiconductor este un producător și furnizor profesionist din China LPE Si EPI Susceptor Set.

Cu o calitate bună și un preț competitiv, bine ați venit să ne vizitați fabrica și să stabiliți o cooperare pe termen lung cu noi.

Setul VeTeK Semiconductor LPE Si Epi Susceptor este un produs de înaltă performanță creat prin aplicarea unui strat fin de carbură de siliciu pe suprafața grafitului izotrop înalt purificat. Acest lucru se realizează prin procesul de depunere chimică în vapori (CVD) proprietar al VeTeK Semiconductor.

Setul de susceptori LPE Si Epi de la VeTek Semiconductor este un reactor cilindru de depunere epitaxială CVD, conceput pentru a funcționa fiabil chiar și în condiții dificile. Aderența remarcabilă a stratului, rezistența la oxidarea la temperaturi înalte și coroziune îl fac o alegere ideală pentru mediile dure. În plus, profilul său termic uniform și modelul de flux laminar de gaz previn contaminarea, asigurând creșterea straturilor epitaxiale de înaltă calitate.

Designul în formă de butoi al reactorului nostru epitaxial cu semiconductor optimizează fluxul de gaz, asigurând că căldura este distribuită uniform. Această caracteristică previne eficient contaminarea și difuzia impurităților, garantând producerea de straturi epitaxiale de înaltă calitate pe substraturi de plachetă.

La VeTek Semiconductor, ne angajăm să oferim clienților produse de înaltă calitate și rentabile. Setul nostru LPE Si Epi Susceptor oferă prețuri competitive, menținând în același timp o densitate excelentă atât pentru substratul de grafit, cât și pentru acoperirea cu carbură de siliciu. Această combinație asigură o protecție fiabilă în medii de lucru cu temperaturi ridicate și corozive.

Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC:

Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC
Proprietate	Valoare tipica
Structură cristalină	FCC policristalină în fază β, orientată în principal (111).
Densitate	3,21 g/cm³
Duritate	Duritate 2500 Vickers (încărcare 500g)
Marimea unui bob	2~10μm
Puritatea chimică	99,99995%
Capacitatea termică	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimare	2700℃
Rezistență la încovoiere	415 MPa RT în 4 puncte
Modulul Young	430 Gpa 4 pt îndoire, 1300 ℃
Conductivitate termică	300W·m-1·K-1
Expansiune termică (CTE)	4,5×10-6K-1