Grafit poros cu acoperire TaC

Grafitul poros cu TaC Coated este un material avansat de procesare a semiconductoarelor furnizat de VeTek Semiconductor. Grafitul poros cu acoperire cu TaC combină avantajele acoperirii cu grafit poros și carbură de tantal (TaC), cu o bună conductivitate termică și permeabilitate la gaz. VeTek Semiconductor se angajează să ofere produse de calitate la prețuri competitive și așteptăm cu nerăbdare să fim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.

Trimite o anchetă

Descriere produs

VeTek Semiconductor este producător și furnizor din China, care produce în principal grafit poros cu acoperire TaC cu mulți ani de experiență. Sper să construim relații de afaceri cu tine.

VeTek Semiconductor Porous Graphite cu material acoperit cu TaC este un material revoluționar de fabricare a semiconductorilor care combină perfect grafitul poros cu acoperirea cu carbură de tantal (TaC). Acest grafit poros cu material acoperit cu TaC are o permeabilitate excelentă și o porozitate ridicată, cu o porozitate maximă de 75%, stabilind un record internațional în industrie. Acoperirea cu TaC de înaltă puritate nu numai că îmbunătățește rezistența la coroziune și uzură a grafitului poros, dar oferă și un strat suplimentar de protecție, rezolvând în mod eficient provocările precum procesarea și coroziunea.

Utilizarea grafitului poros acoperit cu TaC poate îmbunătăți semnificativ eficiența și calitatea procesului de fabricație a semiconductorilor. Permeabilitatea sa excelentă asigură stabilitatea materialului în condiții de temperatură ridicată și controlează eficient creșterea impurităților de carbon. În același timp, designul cu porozitate ridicată oferă o performanță mai bună de difuzie a gazului pentru a ajuta la menținerea unui mediu de creștere pur.

Ne angajăm să oferim clienților grafit poros excelent cu materiale acoperite cu TaC pentru a satisface nevoile industriei de fabricare a semiconductoarelor. Fie în laboratoare de cercetare sau în producție industrială, acest material avansat vă poate ajuta să obțineți performanțe și fiabilitate excelente. Contactați-ne astăzi pentru a afla mai multe despre acest material revoluționar și pentru a începe călătoria dvs. de inovație pentru a conduce producția de semiconductori.

Metoda PVT SiC Crystal Growth

Parametrul de produs al grafitului poros cu acoperire cu TaC

Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC
Densitate	14,3 (g/cm³)
Emisivitate specifică	0.3
Coeficientul de dilatare termică	6,3 10-6/K
Duritate (HK)	2000 HK
Rezistenţă	1×10-5 Ohm*cm
Stabilitate termică	<2500℃
Dimensiunea grafitului se modifică	-10~-20um
Grosimea stratului de acoperire	≥20um valoare tipică (35um±10um)