Suport orizontal pentru napolitane SiC

VeTek SemiconductorSuport orizontal pentru napolitane SiC/Barca are un punct de topire extrem de ridicat (aproximativ 2700°C), ceea ce permiteSuport orizontal pentru napolitane SiC/Barca pentru a lucra stabil in medii cu temperaturi ridicate fara deformare sau degradare. Această caracteristică este deosebit de importantă în procesul de fabricație a semiconductorilor, în special în procese precum recoacere la temperatură înaltă sau depunerea chimică în vapori (CVD).

TheSuport orizontal pentru napolitane SiC/Barca joacă în mod specific următoarele roluri în procesul de transport al suporturilor de napolitane:

Purtare și suport pentru napolitană de silicon: Barca orizontală SiC Wafer Boat este utilizată în principal pentru a transporta și susține plachete de siliciu în timpul producției de semiconductori. Poate aranja ferm mai multe plachete de siliciu împreună pentru a se asigura că rămân într-o poziție bună și stabilitatea pe tot parcursul procesului de procesare.

Încălzire și răcire uniformă: Datorită conductivității termice ridicate a SiC, Wafer Boat poate distribui eficient căldura în mod uniform tuturor napolitanelor de siliciu. Acest lucru ajută la obținerea de încălzire sau răcire uniformă a plachetelor de siliciu în timpul procesării la temperatură înaltă, asigurând consistența și fiabilitatea procesului de prelucrare.

Preveniți contaminarea: Stabilitatea chimică a SiC îi permite să funcționeze bine în medii cu gaze corozive și cu temperaturi ridicate, reducând astfel expunerea plachetelor de siliciu la posibili contaminanți sau reactanți, asigurând puritatea și calitatea plachetelor de siliciu.

De fapt, barca orizontală SiC Wafer Boat poate juca rolul de mai sus datorită caracteristicilor sale unice ale produsului:

Stabilitate chimică excelentă: Materialul SiC are o rezistență excelentă la coroziune la o varietate de medii chimice. În procesul de procesare a gazelor sau lichidelor corozive, SiC Wafer Boat poate rezista eficient coroziunii chimice și poate proteja napolitanele de siliciu de contaminare sau deteriorare.

Conductivitate termică ridicată: Conductivitatea termică ridicată a SiC ajută la distribuirea uniformă a căldurii în procesul purtător și la reducerea acumulării de căldură. Acest lucru poate îmbunătăți acuratețea controlului temperaturii în timpul procesării de precizie și poate asigura încălzirea sau răcirea uniformă a plachetelor de siliciu.

Coeficient scăzut de dilatare termică: Coeficientul de dilatare termică scăzut al materialului SiC înseamnă că modificarea dimensională a navei SiC Wafer Boat este foarte mică în timpul schimbărilor de temperatură. Acest lucru ajută la menținerea stabilității dimensionale în timpul prelucrării la temperatură ridicată și previne deformarea sau deplasarea pozițională a plachetelor de siliciu cauzate de expansiunea termică.

Proprietățile fizice de bază ale suportului orizontal de napolitană SiC:

Magazin de producție VeTek Semiconductor:

Prezentare generală a lanțului industriei de epitaxie a cipurilor semiconductoare: