Siliciu pe izolator

VeTek Semiconductor este un producător chinez profesionist de siliciu pe placă izolatoare, bază planetară ALD și bază de grafit acoperită cu TaC. Siliciul pe izolator de la VeTek Semiconductor este un material substrat semiconductor important, iar caracteristicile sale excelente ale produsului îl fac să joace un rol cheie în aplicațiile de înaltă performanță, putere redusă, integrare ridicată și RF. Așteptăm cu nerăbdare să cooperăm în continuare cu dvs.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Principiul de lucru alVeTek SemiconductorluiSiliciu pe izolatorse bazează în principal pe structura sa unică și pe proprietățile materialelor. Şi Napolitana SOIconstă din trei straturi: stratul superior este un strat de dispozitiv de siliciu monocristal, mijlocul este un strat izolator Buried OXide (BOX), iar stratul inferior este un substrat de siliciu de susținere.

Formarea stratului izolator: Silicon On Insulator Wafer este de obicei fabricat folosind tehnologia Smart Cut™ sau tehnologia SIMOX (Separare prin IMplanted OXygen). Tehnologia Smart Cut™ injectează ioni de hidrogen în placheta de siliciu pentru a forma un strat cu bule și apoi leagă placa injectată cu hidrogen de placa de siliciu de susținere. După tratamentul termic, placheta injectată cu hidrogen este despărțită de stratul cu bule pentru a forma o structură SOI. Tehnologia SIMOX implantează ioni de oxigen de înaltă energie în plachete de siliciu pentru a forma un strat de oxid de siliciu la temperaturi ridicate.

Reducerea capacității parazitare: Stratul BOX alSiliciu pe izolatorizolează eficient stratul dispozitivului și siliciul de bază, reducând semnificativ capacitatea parazitară. Această izolație reduce consumul de energie și crește viteza și performanța dispozitivului.

Evitați efectele de blocare: Dispozitivele n-well și p-well dinNapolitana SOIsunt complet izolate, evitând efectul de blocare în structurile CMOS tradiționale. Acest lucru permiteSiliciu pe izolator pentru a fi fabricate la viteze mai mari.

Funcția Etch stop: Stratul de dispozitiv de siliciu cu un singur cristal și structura stratului BOX a plachetei SOI facilitează fabricarea MEMS și a dispozitivelor optoelectronice, oferind o funcție excelentă de oprire a gravării.

Prin aceste caracteristici,Siliciu pe izolatorjoacă un rol important în prelucrarea semiconductoarelor și promovează dezvoltarea continuă a industriilor circuitelor integrate (IC) și sistemelor microelectromecanice (MEMS). Așteptăm cu nerăbdare continuarea comunicării și cooperării cu dvs.

Parametrul produsului：