> Știri

Știri

Cât de subțire poate procesul Taiko să facă napolitane de siliciu?

Procesul Taiko subțiază plachetele de siliciu folosind principiile, avantajele tehnice și originile procesului.

Citeşte mai mult

Cuptor epitaxial SiC de 8 inchi și cercetarea procesului homoepitaxial

Citeşte mai mult

Plachetă cu substrat semiconductor: proprietățile materialelor siliciului, GaAs, SiC și GaN

Articolul analizează proprietățile materialelor plăcilor de substrat semiconductor, cum ar fi siliciu, GaAs, SiC și GaN

Citeşte mai mult

Tehnologie de epitaxie la temperatură joasă pe bază de GaN

Acest articol descrie în principal tehnologia epitaxială la temperatură joasă pe bază de GaN, inclusiv structura cristalină a materialelor pe bază de GaN, 3. cerințele tehnologiei epitaxiale și soluțiile de implementare, avantajele tehnologiei epitaxiale la temperatură joasă bazată pe principiile PV......

Citeşte mai mult

Care este diferența dintre CVD TaC și TaC sinterizat?

Acest articol prezintă mai întâi structura moleculară și proprietățile fizice ale TaC și se concentrează pe diferențele și aplicațiile carburii de tantal sinterizate și CVD, precum și pe produsele populare de acoperire TaC de la VeTek Semiconductor.

Citeşte mai mult

Cum se prepară acoperirea CVD TaC?

Acest articol prezintă caracteristicile produsului acoperirii CVD TaC, procesul de preparare a acoperirii CVD TaC folosind metoda CVD și metoda de bază pentru detectarea morfologiei suprafeței acoperirii CVD TaC preparate.

Citeşte mai mult

<...2 3 4 5 6...9 >