> Știri > Știri din industrie

Știri din industrie

Se pare că companiile chineze dezvoltă cipuri de 5 nm cu Broadcom!

Potrivit știrilor de peste mări, două surse au dezvăluit pe 24 iunie că ByteDance lucrează cu compania americană de design de cipuri Broadcom pentru a dezvolta un procesor de calcul avansat de inteligență artificială (AI), care va ajuta ByteDance să asigure o aprovizionare adecvată de cipuri de ulti......

Citeşte mai mult

Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: Se așteaptă ca cipurile SiC de 8 inchi să fie puse în producție în decembrie!

În calitate de producător de frunte în industria SiC, dinamica asociată Sanan Optoelectronics a primit o atenție pe scară largă în industrie. Recent, Sanan Optoelectronics a dezvăluit o serie de cele mai recente evoluții, care implică transformarea de 8 inchi, producție de fabrică de noi substraturi......

Citeşte mai mult

Aplicarea pieselor de grafit acoperite cu TaC în cuptoare cu un singur cristal

În creșterea monocristalelor de SiC și AlN folosind metoda transportului fizic al vaporilor (PVT), componentele cruciale precum creuzetul, suportul pentru semințe și inelul de ghidare joacă un rol vital. După cum este descris în Figura 2 [1], în timpul procesului PVT, cristalul de sămânță este poziț......

Citeşte mai mult

Diferite rute tehnice ale cuptorului de creștere epitaxială SiC

Substraturile cu carbură de siliciu au multe defecte și nu pot fi prelucrate direct. Un anumit film subțire de cristal unic trebuie să fie crescut pe ele printr-un proces epitaxial pentru a face napolitane. Acest film subțire este stratul epitaxial. Aproape toate dispozitivele cu carbură de siliciu ......

Citeşte mai mult

Material din carbură de siliciu epitaxie

Materialul stratului epitaxial din carbură de siliciu este carbură de siliciu, care este de obicei folosită pentru fabricarea de dispozitive electronice și LED-uri de mare putere. Este utilizat pe scară largă în industria semiconductoarelor datorită stabilității sale termice excelente, rezistenței m......

Citeşte mai mult

Caracteristicile epitaxiei cu siliciu

Puritate ridicată: Stratul epitaxial de siliciu crescut prin depunere chimică de vapori (CVD) are o puritate extrem de ridicată, o planeitate mai bună a suprafeței și o densitate mai mică a defectelor decât napolitanele tradiționale.

Citeşte mai mult

<...6 7 8 9 10 >